| 半導体レーザ装置 | |
| 内藤 由美; 岡田 知; 藤本 毅 | |
| 2006-11-02 | |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 专利号 | JP3875799B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 低い発振閾値で高い発振効率、高い信頼性、長寿命を持ち、発振波長が安定化された半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 n-GaAs基板1の上に順次、n-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、ノンドープInGaAs活性層4、p-AlxGa1-xAsクラッド層6、p-GaAsコンタクト層7が形成され、さらにクラッド層6の中にストライプ状の窓を有するn-AlGaAs電流ブロック層5が埋め込まれている。電流ブロック層5の活性層側界面には、周期的な凹凸形状から成る回折格子10が形成され、電流ブロック層5が存在しないストライプ状の窓部11、すなわち電流注入領域には回折格子は存在しない。 |
| 公开日期 | 2007-01-31 |
| 申请日期 | 1998-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 由美,岡田 知,藤本 毅. 半導体レーザ装置. JP3875799B2. 2006-11-02. |
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