半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
佐々木 康真; 大久保 典雄 | |
1999-05-11 | |
著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
专利号 | JP1999126942A |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
英文摘要 | 【課題】 光出力発振時における端面劣化が抑制され、信頼性の高い半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の上に半導体のエピタキシャル成長層を積層して成り、劈開面3a,3bを発光端面とし、かつその劈開面が半導体のエピタキシャル成長膜6a,6bで被覆されているレーザ素子本体4の上面および下面に駆動電極5a,5bが装荷されている半導体レーザ素子において、少なくとも上面に装荷されている駆動電極5aがタングステンシリサイドから成り、前記エピタキシャル成長層6a,6bは550℃以上の温度で形成される。 |
公开日期 | 1999-05-11 |
申请日期 | 1997-10-22 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81775] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 康真,大久保 典雄. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1999126942A. 1999-05-11. |
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