| 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| 大久保 典雄 | |
| 1998-04-14 | |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 专利号 | JP1998098237A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 CODを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子の端面に半導体保護層を形成する工程を有する半導体レーザ素子の製造方法において、半導体レーザ素子の端面をハロゲン系ガスに晒し、その直後に半導体保護層を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-04-14 |
| 申请日期 | 1996-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81351]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1998098237A. 1998-04-14. |
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