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	半導体レーザ装置及びその製造方法
	福嶋 丈浩; 近藤 真人
	1994-03-11
著作权人	FUJITSU LTD
专利号	JP1994069595A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体レーザ装置及びその製造方法
英文摘要	【目的】本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に係り、特にp型GaAs基板を用いて形成された半導体レーザ及びその製造方法に関し、Znをドープしたp-GaAs基板を用いても、Znがクラッド層等に拡散してしまうことがないようにした半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】Znをドープしたp-GaAs基板2上に、カーボンをドープしたメサ形状のカーボンドープAlGaAs層4が形成されている。メサ部端部からなだらかに下降する傾斜を持ちながらメサを埋め込むように、電流ブロック層6が形成されている。電流ブロック層6及びカーボンドープAlGaAs層4のメサ上部に、Znをドープした下部クラッド層8が形成されている。下部クラッド層8上には活性層10が形成されている。活性層10上には上部クラッド層12が形成されているように構成する。
公开日期	1994-03-11
申请日期	1992-08-21
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81252]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	福嶋 丈浩,近藤 真人. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994069595A. 1994-03-11.

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