| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 渡辺 孝幸; 藤井 卓也; 山本 剛之; 石川 務 | |
| 1998-04-24 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP1998107367A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電流狭窄層を有する平坦化埋込みレーザ(SIPBH レーザ)に関し、活性層を含むメサ部直上部のp型クラッド層のZn濃度の低下を抑制して電流狭窄構造部を流れるリーク電流を低減する。 【解決手段】(100)面を有する半導体基板1と、半導体基板1上に形成された活性層を含む活性層メサ領域101と、活性層メサ領域101を挟む電流狭窄領域102a、102bと、両方の領域を被覆するクラッド層9とを有する半導体レーザにおいて、電流狭窄領域102a、102bの最上層のn型電流阻止層8a,8bの側壁は(111)B面を有し、側壁の間のクラッド層9はZn濃度5×1017cm-3以上を含有するInP層からなる。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80931]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 孝幸,藤井 卓也,山本 剛之,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998107367A. 1998-04-24. |
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