| 光半導体装置 | |
| 森本 卓夫 | |
| 1999-11-30 | |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 专利号 | JP1999330637A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】選択成長によるpnpnサイリスタ構造を有する半導体レーザにおいて、内部損失が増えるデメリットのないように、ターンオン防止のキャリア再結合層を挿入し、閾値の低減、温度特性の向上、最大光出力の向上を実現する。 【解決手段】バッファー層付p型InP基板の上に、p-クラッド層4、SCH-歪MQW層5、n-クラッド層10の台形形状の選択成長部があり、3μm光の導波部となっている。その左右には、下から順に、p-InP埋込層12、n-InP部層13が0.4μm、p-InP部層14が2μm、3μm組成4元ウェル/05μm組成4元バリアのSCH-MQWキャリア再結合層15が0.1μmある。これら全体を埋め込む形で、n-InPクラッド埋込層17と、その上部にn-InGaAsPコンタクト層18が0.4μmある。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1996-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 光半導体装置. JP1999330637A. 1999-11-30. |
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