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	Optoelectronic devices
	JOHN, HAIG, MARSH; ANN, CATRINA, BRYCE; BOCANG, QUI; ELCHURI, RAO; BERTRAND, THEYS; YVON, HEYMES
	2003-08-27
著作权人	THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW
专利号	GB2385712A
国家	英国
文献子类	发明申请
其他题名	Optoelectronic devices
英文摘要	The device comprises an intermixed quantum well semiconductor structure in which dopant impurities and/or point defects are passivated by exposing the device to a hydrogen plasma. The passivation reduces free carrier optical absorption of the device. The invention may be applied to optoelectronic/photonic devices including lasers, waveguides, optical switches, mode expanders, convertors and convertors, optical amplifiers and optical switches.
公开日期	2003-08-27
申请日期	2002-10-31
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79210]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW
推荐引用方式 GB/T 7714	JOHN, HAIG, MARSH,ANN, CATRINA, BRYCE,BOCANG, QUI,et al. Optoelectronic devices. GB2385712A. 2003-08-27.

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