| 半導体発光素子 | |
| 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健; 幡 俊雄; 須山 尚宏 | |
| 2003-06-27 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3444812B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAlN層に格子欠陥がなく、高効率、高信頼性を有し層厚およびキャリア濃度の制御が容易にできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、n型クラッド層と、活性層と、結晶成長によりドーパント原子がアクセプターとなりうる格子位置に配されたp型In1-x(GayAl1-y)xNクラッド層(01-u(GavAl1-v)uN層(0 |
| 公开日期 | 2003-09-08 |
| 申请日期 | 1992-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 雅文,細羽 弘之,兼岩 進治,等. 半導体発光素子. JP3444812B2. 2003-06-27. |
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