| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 松本 信一; 野口 悦男 | |
| 1994-05-31 | |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 专利号 | JP1994152065A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 庇を備えたマスクの作製といったプロセスを省略し、素子作製が容易な構造を備えた半絶縁性高抵抗層埋め込み構造半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 電流阻止層部分において、半絶縁性高抵抗InP結晶と基板との間に、半絶縁性高抵抗InP結晶に対する選択エッチングが可能な半導体結晶からなるエッチングストッパ層を備え、基板と反対導電型のクラッド層の幅が活性層幅よりも広い構造であることを主要な特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-11-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78798]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,野口 悦男. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1994152065A. 1994-05-31. |
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