| Semiconductor laser and manufacture thereof | |
| TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO | |
| 1985-04-13 | |
| 著作权人 | ROOMU KK |
| 专利号 | JP1985064488A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser and manufacture thereof |
| 英文摘要 | PURPOSE:To contrive to stabilize the longitudinal modes of laser beams by a method wherein the longitudinal modes of an active layer are locked in the longitudinal modes of a photo waveguide layer formed on the active layer. CONSTITUTION:A clad layer 4 is formed on an active layer 3. The clad layer 4 consists of an n type AlZ'Ga1-Z'As layer 41, an n type AlZ''Ga1-Z''As layer 42 and an n type AlY'Ga1-Y'As photo waveguide layer (Y' |
| 公开日期 | 1985-04-13 |
| 申请日期 | 1983-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77765]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROOMU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TANAKA HARUO,MUSHIGAMI MASAHITO. Semiconductor laser and manufacture thereof. JP1985064488A. 1985-04-13. |
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