| 半導体レーザ素子 | |
| ▲吉▼田 智彦; 須山 尚宏; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 大林 健 | |
| 2001-04-27 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3183692B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 制御性よく、自励発振を発生させることができ、戻り光の存在下においても、雑音を生じることがない半導体レーザ素子を実現する。 【構成】 半導体レーザ素子の積層構造を、アンドープGa0.88Al0.12As活性層3とn型GaAs電流狭窄層6との間に、高抵抗であり、活性層3よりもエネルギーギャップが大きいp型(Ga0.4Al0.6)0.5In0.5Pクラッド層を挿入する積層構造にする。このような構造によれば、電流狭窄層6の幅を比較的狭くできるので、電流の広がりを光の広がりよりも狭くすることが可能になる。 |
| 公开日期 | 2001-07-09 |
| 申请日期 | 1991-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77611]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲吉▼田 智彦,須山 尚宏,兼岩 進治,等. 半導体レーザ素子. JP3183692B2. 2001-04-27. |
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