| 光半導体装置の製造方法 | |
| 越智 誠司; 巳浪 裕之; 板垣 卓士 | |
| 1998-05-22 | |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 专利号 | JP1998135563A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 生産効率良く、層厚の異なる複数の領域からなる半導体層を備えた光半導体装置を得ることができる光半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板1上に、その底面に該基板1が露出した異なる幅を有する複数の領域からなるストライプ形状の開口部20を備えた絶縁膜マスク2を形成し、これを用いて、上記基板をウエットエッチングした後、この絶縁膜マスク2を用いて、上記基板1上にn型InP下クラッド層3、アンドープInGaAsP能動層4、及びp型InP上クラッド層5を順次結晶成長させるようにした。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77389]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 越智 誠司,巳浪 裕之,板垣 卓士. 光半導体装置の製造方法. JP1998135563A. 1998-05-22. |
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