| 半導体レーザ素子 | |
| 大久保 典雄 | |
| 1998-01-16 | |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 专利号 | JP1998012963A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光効率を向上させた半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 量子井戸活性層6と、それを両側から挟むn型クラッド層3およびp型クラッド層9とを有する半導体レーザ素子において、n型クラッド層3はキャリア濃度が1×1017cm-3以下であるAlGaAsからなり、前記n型クラッド層3と前記量子井戸活性層6の間に厚さが50nm以上のノンドープ中間半導体層としてAl0.2 Ga0.8 As光閉じ込め層4を介在させる。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77274]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP1998012963A. 1998-01-16. |
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