半導体レーザモジュール
福嶋 丈浩; 原山 卓久; 佐々木 敬彦
2009-10-29
著作权人ADVANCED TELECOMMUNICATION RESEARCH INSTITUTE INTERNATIONAL
专利号JP2009253108A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。 【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール300は、半導体レーザ素子100と少なくとも1つの屈折率分布型ロッドレンズ200とを備える。半導体レーザ素子100は、半導体基板10と、半導体基板10上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板10および半導体多層膜は、平坦面101と、平坦面101から突出するように形成され且つ第1および第2の端面を含む積層構造102とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ200は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。 【選択図】図1
公开日期2009-10-29
申请日期2008-04-08
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77095]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ADVANCED TELECOMMUNICATION RESEARCH INSTITUTE INTERNATIONAL
推荐引用方式
GB/T 7714
福嶋 丈浩,原山 卓久,佐々木 敬彦. 半導体レーザモジュール. JP2009253108A. 2009-10-29.
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