| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 竹内 辰也 | |
| 1995-10-13 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP1995263803A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 FBH構造(埋め込み構造)の半導体レーザ装置およびその製造方法に関し,レーザの高出力化の実現および高温での動作を改善して,飽和出力を増大させる。 【構成】 n型半導体基板(1),真性半導体から成る活性層(3),p型クラッド層(4),およびp型上部埋め込み層(5)を順次積層した半導体レーザ構造を有する。活性層(3)を含む上下の領域の側面が,p型埋め込み層(7)およびn型埋め込み層(8)によって埋め込まれている。p型埋め込み層(7)および/またはn型埋め込み層(8)は,エネルギーバンドギャップの異なる2種類以上の半導体から成る多層構造をしている。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1995263803A. 1995-10-13. |
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