| 半導体レーザ | |
| 内田 智士; 井川 克彦; 股木 宏至 | |
| 1994-01-21 | |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 专利号 | JP1994013706A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 低非点隔差で高信頼性であると共に、高出力動作までの単一横モードが可能な屈折率導波型構造でありながら低出力動作(たとえば光出力3mW)においてマルチ縦モード発振である自己整合型の高出力半導体レーザを提供する。 【構成】 複素屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のダブルヘテロ構造半導体レーザであって、電流制限層の膜厚が6000〜2000Åであり、かつ活性層4と電流制限層7とのあいだにクラッド層5とビーム拡大層6が形成され、ビーム拡大層のAlの組成がクラッド層のAlの組成より小さく活性層のAlの組成より大きくなるように形成される。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1992-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 智士,井川 克彦,股木 宏至. 半導体レーザ. JP1994013706A. 1994-01-21. |
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