| 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| 竹内 辰也 | |
| 1994-09-30 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP1994275911A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 Feドープの高抵抗(率)埋込み層を有するIII-V族化合物半導体レーザ装置に関し、メサ側面を十分な高抵抗埋込み層で埋込んだ半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 (100)面III-V族化合物半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを含む。 |
| 公开日期 | 1994-09-30 |
| 申请日期 | 1993-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75635]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP1994275911A. 1994-09-30. |
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