| 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 吉川 昌宏; 山本 将央; 近藤 崇 | |
| 2012-09-14 | |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 专利号 | JP5082344B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 幅広い温度範囲で高次横モードを抑制することができる面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明に係るVCSELは、基板102上に、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型上部DBR112、p型GaAsコンタクト層114を積層し、コンタクト層114上にレーザ光の出射領域を規定する開口部132を含むp側上部電極130が形成されている。レーザ光の発振波長をλとしたとき、コンタクト層114と当該コンタクト層114が接する上部DBRの最上膜112cとの光学膜厚Tがλ/4よりも小さいことを特徴とする。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2012-11-28 |
| 申请日期 | 2006-08-31 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75178]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 昌宏,山本 将央,近藤 崇. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP5082344B2. 2012-09-14. |
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