| 半導体レーザの製造方法 | |
| 竹内 辰也 | |
| 1994-03-25 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP1994085390A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの製造方法に関し、高抵抗埋め込み層のp型化を防止して漏れ電流阻止効果の改善された高出力半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に少なくとも活性層3と所定の導電型の不純物を導入したクラッド層4とを積層形成し、これらを選択的にエッチングして基板1上にメサ状に残留し、このメサを囲んで基板1上に、深いアクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされた高抵抗層6を埋め込む工程を有し、高抵抗層6にドーピングする深いアクセプタ準位を形成する不純物のドーピング量を埋め込み初期において少なくするようにする。 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 申请日期 | 1992-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74449]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザの製造方法. JP1994085390A. 1994-03-25. |
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