| 半導体発光装置 | |
| 石川 務; 山本 剛之 | |
| 1998-09-02 | |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 专利号 | JP1998233551A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、n型電流阻止層の材料を選択する簡単な手段に依って、プラズマ効果に依る屈折率低下を補償し、光出射端近傍での近視野像歪みを解消しようとする。 【解決手段】 電流注入に依って光を増幅する量子井戸活性層23及び該量子井戸活性層23に連なり光出射端に達するスポット·サイズ変換器である膜厚テーパ導波路22が含まれるメサ·ストライプと、該メサ·ストライプの長手方向両側を埋め且つ少なくとも一層以上のn型層であるn-AlInAs電流阻止層25を含んで積層形成された電流阻止層とを備え、n型層は材料の組成を選択することで屈折率を周囲の半導体層の屈折率と同程度に調整したものとなっている。 |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 申请日期 | 1997-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74223]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 務,山本 剛之. 半導体発光装置. JP1998233551A. 1998-09-02. |
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