| 半导体激光器装置 | |
| 山根统; 斋藤真司; 角野努; 金子桂; 桥本玲 | |
| 2018-10-23 | |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 专利号 | CN108701964A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。 |
| 公开日期 | 2018-10-23 |
| 申请日期 | 2016-09-02 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山根统,斋藤真司,角野努,等. 半导体激光器装置. CN108701964A. 2018-10-23. |
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