非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器 | |
郑俊守; 孙雨舟; 王祥忠 | |
2018-06-29 | |
著作权人 | 苏州旭创科技有限公司 |
专利号 | CN108233172A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器 |
英文摘要 | 本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器,所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1,所述第一光栅和第二光栅的长度不同,第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧的刻蚀深度小于远离相移结构两侧的刻蚀深度。本申请能实现光功率的非对称输出,提高了激光器的输出光功率;减小相移结构附近的折射率调制,有效减弱空间烧孔效应的影响,提高了激光器的单模稳定性。 |
公开日期 | 2018-06-29 |
申请日期 | 2016-12-22 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73418] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州旭创科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑俊守,孙雨舟,王祥忠. 非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器. CN108233172A. 2018-06-29. |
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