| 半导体激光装置 | |
| 金定洙 | |
| 2018-05-11 | |
| 著作权人 | 光速株式会社 |
| 专利号 | CN108028510A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明在要求突发模式的如NG‑PON2等的TWDM‑PON网中，在要求选择非常窄的波长的半导体激光制作工艺中，在一个激光二极管芯片分别形成振荡波长不同的2个的激光导波管来改善芯片的波长产出率，在某一激光导波管参与通信时，向注入于参与通信的突发模式动作的导波管激光的电流的变化引起的波长变化，调制并注入向未参与通信的导波管注入的电流，进而使由参与通信的激光导波管振荡的波长稳定，从而能够进行DWDM级的突发模式通信。 |
| 公开日期 | 2018-05-11 |
| 申请日期 | 2016-06-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光速株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金定洙. 半导体激光装置. CN108028510A. 2018-05-11. |
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