半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 | |
成演准; 姜基晩; 金珉成; 朴修益; 李容京; 李恩得; 林显修 | |
2019-06-21 | |
著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
专利号 | CN109923682A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 |
英文摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层;第一电极,与第一导电半导体层电连接;第二电极,与第二导电半导体层电连接;反射层,设置在第二电极上;以及覆盖层,设置在反射层上并包括多个层,其中,覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层,并且第一层包括Ti。 |
公开日期 | 2019-06-21 |
申请日期 | 2017-11-03 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72883] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成演准,姜基晩,金珉成,等. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN109923682A. 2019-06-21. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论