一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
范鑫烨; 姜夕梅; 白成林; 房文敬; 牛慧娟
2019-09-24
著作权人聊城大学
专利号CN107240857B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
英文摘要本发明公开一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。其中,所述激光器包括:依次层叠的N电极、衬底、第一缓冲层、第一分布布拉格反射镜组、有源层、第二分布布拉格反射镜组和第二缓冲层,对第二缓冲层、第二分布布拉格反射镜组和有源层进行刻蚀形成的圆柱形台体以及围绕所述圆柱形台体的第一分布布拉格反射镜组的部分表面,在圆柱形台体的侧壁和部分表面上形成的掩膜,和位于第二缓冲层上的P电极;本发明提供的垂直腔面发射激光器及其制作方法,通过有源层的量子阱结构、第一分布布拉格反射镜组和第二分布布拉格反射镜组,实现超窄线宽和平顶陡边光谱响应,能够降低VCSEL的阈值电流,提高光电转换效率。
公开日期2019-09-24
申请日期2017-06-28
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72571]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位聊城大学
推荐引用方式
GB/T 7714
范鑫烨,姜夕梅,白成林,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN107240857B. 2019-09-24.
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