| 一种半导体激光器 | |
| 车相辉; 曹晨涛; 赵润 | |
| 2019-08-13 | |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 专利号 | CN108539578B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本申请适用于激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，所述缓冲层和所述N型限制层之间设有至少两层扩展波导层，通过本申请可以降低垂直发散角的同时提高耦合效率。 |
| 公开日期 | 2019-08-13 |
| 申请日期 | 2018-05-24 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72543]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 车相辉,曹晨涛,赵润. 一种半导体激光器. CN108539578B. 2019-08-13. |
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