| 半导体激光装置 | |
| 薮原秀彦 | |
| 2019-07-16 | |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 专利号 | CN106165220B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 实施方式的半导体激光装置具有多个第1单位层叠体和多个第2单位层叠体。多个第1单位层叠体具有包含第1量子阱层且能够通过子带间跃迁发出第1红外线激光的发光区域、以及能够将上述发光区域中向微带能级弛豫的电子向下游侧的单位层叠体输送的电子注入区域。多个第2第2单位层叠体具有包含第2量子阱层且能够通过子带间跃迁发出第2红外线激光的发光区域、以及能够将第2量子阱层的发光区域中向微带能级弛豫的电子向下游侧的单位层叠体输送的电子注入区域。第2量子阱层具有至少一个与第1量子阱层的阱宽度不同的阱宽度。第1单位层叠体与第2单位层叠体具有空间的周期性而层叠。 |
| 公开日期 | 2019-07-16 |
| 申请日期 | 2014-09-04 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薮原秀彦. 半导体激光装置. CN106165220B. 2019-07-16. |
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