| 半導体装置の製造方法 | |
| 山崎 正夫; 滝沢 裕二; 八橋 利光 | |
| 2001-08-10 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3220638B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】発光ダイオードを効率よく製造することができ、しかも、安定したダイボンド強度およびオーミックコンタクトが得られる。 【解決手段】シリコン基板12における相対向する表面に、融点の異なる導電性のロウ材13および14をそれぞれ設けて、そのシリコン基板12を、高融点のロウ材13を介してステム11上に載置するとともに、シリコン基板12の他方の低融点のロウ材14を介して発光ダイオード素子15を載置する。そして、ステム11をヒーターによって加熱しつつ、発光ダイオード素子15をステム11に押し付ける。ステム11に接するロウ材13は高融点になっているために、他方の低融点のロウ材14とほぼ同時に溶融されて、ステム11とシリコン基板12とがダイボンディングされて共晶接合されると同時に、シリコン基板12と半導体素子とがダイボンディングされて共晶接合される。 |
| 公开日期 | 2001-10-22 |
| 申请日期 | 1996-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71314]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 正夫,滝沢 裕二,八橋 利光. 半導体装置の製造方法. JP3220638B2. 2001-08-10. |
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