QQ客服 官方微博 反馈留言

	半導体レーザ装置
	小川 勝; 八尾 和幸; 市川 英樹; 増井 克栄
	1996-01-19
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP1996018151A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体レーザ装置
英文摘要	【目的】 ワイヤボンディング作業時、キャピラリの接近方向を変える等の操作が不要で、しかも受光素子の出力を大きくできるとともに、装置全体の小型化を図れる半導体レーザ装置を実現する。 【構成】 半導体レーザチップ5から出射されるモニター光を、受光素子6のキャリア拡散面と直交する方向の側面部で受光してなることを特徴とする。また、半導体レーザチップ5と受光素子6とを同一実装面上に搭載し、且つ受光素子6のキャリア拡散層の深さを10μm以上とすることを特徴とする。また、受光素子32のキャリア拡散層33側を実装面にダイボンドしてなることを特徴とする。この構造において、受光素子のキャリア拡散層の深さを、少なくとも半導体レーザチップ31の実装面から発光点までの距離以上に設けてなることを特徴とする。
公开日期	1996-01-19
申请日期	1994-06-30
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71227]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小川 勝,八尾 和幸,市川 英樹,等. 半導体レーザ装置. JP1996018151A. 1996-01-19.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。