| 半導体装置及びその製造方法 | |
| 紀川 健; 入江 亮太郎; 高谷 信一郎 | |
| 1993-10-08 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1993259076A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】絶縁膜/化合物半導体構造、半導体/化合物半導体構造、金属/化合物半導体構造を有する装置において、その特性の向上を図る。 【構成】酸化物の無い清浄なIII-V族化合物半導体表面にテルル分子線、或はテルル化物ガスを照射して反応させ、該化合物半導体構成元素のテルル化物からなる変性層2を形成する。 【効果】テルルにより化合物半導体表面の未結合手が有効に終端され、界面準位の発生を阻止することができる。且つ、テルルを用いることにより変性層から化合物半導体への終端原子の拡散による特性劣化も低減できる。 |
| 公开日期 | 1993-10-08 |
| 申请日期 | 1992-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71124]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 紀川 健,入江 亮太郎,高谷 信一郎. 半導体装置及びその製造方法. JP1993259076A. 1993-10-08. |
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