QQ客服 官方微博 反馈留言

	マルチビーム半導体レーザ装置
	瀬古 保次; 上柳 喜一; 中山 秀生; 福永 秀樹
	1998-10-23
著作权人	富士ゼロックス株式会社
专利号	JP2841428B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	マルチビーム半導体レーザ装置
英文摘要	PURPOSE:To prevent the output of laser beams in each emission part from changing by installing bonding pad parts connected to independent drive electrodes through wiring parts and replacing corresponding parts of an active layer to the wiring parts with inactive layers. CONSTITUTION:Bonding pad parts 81-84 connected to independent drive electrodes 3-6 through wiring parts 91-94 are installed and corresponding parts of an active layer 23 to the wiring parts 91-94 are replaced by inactive layers 26 and 27. Therefore, even if electron carriers, hole carriers, and other carriers are implanted into the inactive layers 26 and 27 through the wiring parts 91-94, the carriers do not recombine in the inactive layers 26 and 27 to surely prevent an optical conversion phenomenon in the inactive layers 26 and 27. Thereby the influence of the carriers implanted through the wiring parts on emission parts 2e-2h is eliminated and the output of laser beams from the emission parts 2e-2h is stabilized.
公开日期	1998-12-24
申请日期	1989-03-10
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70900]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	瀬古 保次,上柳 喜一,中山 秀生,等. マルチビーム半導体レーザ装置. JP2841428B2. 1998-10-23.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。