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	半導体レーザ装置
	峰久 次郎
	2010-12-24
著作权人	パナソニック株式会社
专利号	JP4651471B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	半導体レーザ装置
英文摘要	【課題】 半導体レーザ装置の出力低下が半導体レーザ素子の劣化によるものか、プローブの劣化によるのものであるかを判定することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発生する半導体レーザ素子3と、半導体レーザ素子から発生されたレーザ光をモニタリングするレーザ光検出器4と、レーザ光を照射対象物へ導光するプローブ6と、プローブからのプローブ出力光を計測する光パワーメータ7と、半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光検出器および光パワーメータの計測データを記憶する記憶部8と、記憶部に格納された半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度と、新たに計測した半導体レーザ素子を駆動する電流の値、レーザ光およびプローブ出力光の強度とを用いてプローブの透過率が低下したか否かを判定する制御部5とを備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
公开日期	2011-03-16
申请日期	2005-07-14
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70381]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	パナソニック株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	峰久 次郎. 半導体レーザ装置. JP4651471B2. 2010-12-24.

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