光半導体装置
平山 雅裕
2017-11-02
著作权人住友電工デバイス·イノベーション株式会社
专利号JP2017199905A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【課題】複数のEMLチップを備える光半導体装置において、或るEMLチップから別のEMLチップへ伝わる高周波成分を低減する。 【解決手段】光半導体装置1Aは、複数のEMLチップ20と、各EMLチップ20にレーザ駆動のための直流電流を供給する複数のボンディングワイヤ44と、各ボンディングワイヤ44に一方の電極が接続された複数のデカップリングコンデンサ34と、一端部においてEMLチップ20と電気的に接続され、EMLチップ20に変調信号を供給する複数のコプレーナ線路11とを備える。デカップリングコンデンサ34の他方の電極と、隣りのコプレーナ線路11のグランドパターン13aとは、互いに電気的に接続されている。グランドパターン13aは、グランドパターン13bに対して狭い領域を有する。 【選択図】図1
公开日期2017-11-02
申请日期2017-04-25
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67988]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位住友電工デバイス·イノベーション株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
平山 雅裕. 光半導体装置. JP2017199905A. 2017-11-02.
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