半導体レーザ装置及びその製造方法
杉本 真由美
2018-11-01
著作权人株式会社フジクラ
专利号JP2018170431A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置及びその製造方法
英文摘要【課題】無駄な電力消費を抑えることができ、製造歩留まりを向上させることも可能な半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置1は、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11と、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11から射出されるレーザ光を1本の光ファイバOFに結合させる結合光学系(F軸コリメートレンズFAC1〜FAC11、S軸コリメートレンズSAC1〜SAC11、2連ミラーM1〜M11、F軸集光レンズFL、及びS軸集光レンズSL)とを備えており、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11の少なくとも1つ(半導体レーザ素子LD5)は、ワイヤW1により電気的に短絡又は絶縁されて発光することのできない発光不可状態にされている。 【選択図】図1
公开日期2018-11-01
申请日期2017-03-30
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67985]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社フジクラ
推荐引用方式
GB/T 7714
杉本 真由美. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2018170431A. 2018-11-01.
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