半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
杉本 真由美 | |
2018-11-01 | |
著作权人 | 株式会社フジクラ |
专利号 | JP2018170431A |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
英文摘要 | 【課題】無駄な電力消費を抑えることができ、製造歩留まりを向上させることも可能な半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置1は、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11と、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11から射出されるレーザ光を1本の光ファイバOFに結合させる結合光学系(F軸コリメートレンズFAC1〜FAC11、S軸コリメートレンズSAC1〜SAC11、2連ミラーM1〜M11、F軸集光レンズFL、及びS軸集光レンズSL)とを備えており、複数の半導体レーザ素子LD1〜LD11の少なくとも1つ(半導体レーザ素子LD5)は、ワイヤW1により電気的に短絡又は絶縁されて発光することのできない発光不可状態にされている。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2018-11-01 |
申请日期 | 2017-03-30 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67985] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社フジクラ |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉本 真由美. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2018170431A. 2018-11-01. |
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