光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
東 敏生
2017-12-28
著作权人住友電工デバイス·イノベーション株式会社
专利号JP2017228654A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
英文摘要【課題】単一波長性の悪化を抑制すること。 【解決手段】一方の端面から他方の端面に向かって延在して半導体基板上に設けられた活性層と、活性層に電流を注入する電極パッドと、を含む第1発光素子と、一方の端面から他方の端面に向かって延在して半導体基板上に設けられた活性層と、活性層に電流を注入する電極パッドと、を含む第2発光素子と、が集積された光半導体素子を備える光半導体装置の製造方法において、第1発光素子と第2発光素子をそれぞれ一方の端面で発光させ、第1発光素子と第2発光素子の波長を測定することで、第1発光素子又は第2発光素子のいずれか一方の発光素子を選択する工程と、光半導体素子をパッケージに搭載する工程と、前記一方の発光素子の電極をワイヤ配線によって電源に接続する工程と、を含む、光半導体装置の製造方法。 【選択図】図19
公开日期2017-12-28
申请日期2016-06-22
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67950]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位住友電工デバイス·イノベーション株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
東 敏生. 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置. JP2017228654A. 2017-12-28.
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