| 光電子集積回路素子 | |
| 大久保 典雄 | |
| 1997-08-15 | |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 专利号 | JP1997213918A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光電子集積回路素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成された、光通信用波長領域における安定した光電子集積回路素子を提供する。 【解決手段】GaAs基板1上に光素子部8と電子素子部7を形成した光電子集積回路素子であって、光素子部8は受光素子部からなり、前記受光素子部の光吸収層5はGaAsN系化合物半導体で構成されている。 |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 申请日期 | 1996-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67846]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 光電子集積回路素子. JP1997213918A. 1997-08-15. |
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