QQ客服 官方微博 反馈留言

	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ; ЩУКИН ВИТАЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
	2005-04-10
著作权人	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ
专利号	RU2004127235A
国家	俄罗斯
文献子类	发明申请
其他题名	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
英文摘要	Полупроводниковый лазер, содержащий:а) нижний отражатель,б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в указанном резонаторе; при этом резонатор и активная область выполнены с возможностью того, чтобы световое излучение распространялось в резонаторе в направлении, наклоненном и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.2. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит подложку под нижним отражателем.3. Полупроводниковый лазер по п. 2, в которома) активная область излучает свет под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; иб) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под активной областью;ii) вторую ограничивающую область над активной областью;iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем;v) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью; иvi) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего ток может инжектироваться в активную область, для формирования светового излучения.3. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором активная область выбрана из группы, состоящей из:а) по меньшей мере одной квантовой ямы;b) по меньшей мере одного листа квантовых перемычек;c) по меньшей мере одного листа квантовых точек; иd) любой комбинации а)–c).5. Полупроводниковый лазер по п. 4, который также содержит механизм обратной связи.6. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором нижний отражатель и верхний отражатель являются многослойными.7. Полупроводниковый лазер по п. 6, в которома) резонатор также содержит по меньшей мере один слой с высоким показателем преломления, и по меньшей мере один слой с промежуточным показателем преломления;б) нижний отражатель содержит самый верхний слой с высоким показателем преломления;в) верхний отражатель содержит самый нижний слой с высоким показателем преломления.8. Полупроводниковый лазер по п. 7, в котором активная область расположена в слое, имеющем высокий показатель преломления.9. Полупроводниковый лазер по п. 7, в котором активная область расположена в слое с промежуточным показателем преломления.10. Полупроводниковый лазер по п. 6, в которома) резонатор также содержит по меньшей мере один слой с низким показателем преломления, и по меньшей мере один слой с промежуточным показателем преломления;b) нижний отражатель содержит самый верхний слой с высоким показателем преломления; иc) верхний отражатель содержит самый нижний слой с высоким показателем преломления.1 Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена в слое, имеющем низкий показатель преломления.12. Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена в слое, имеющем промежуточный показатель преломления.13. Полупроводниковый лазер по п. 10, в котором активная область расположена между слоем, имеющим низкий показатель преломления, и слоем с промежуточным показателем преломления.14. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором лазер излучает свет в вертикальном направлении, в результате чего лазер действует как лазер с поверхностным излучением.15. Полупроводниковый лазер по п. 14, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.16. Полупроводниковый лазер по п. 15, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.17. Полупроводниковый лазер по п. 15, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.18. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором лазер излучает свет в поперечном направлении, в результате чего лазер действует как лазер с торцевым излучением.19. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором обратная связь в вертикальном направлении обеспечивается многослойными нижним и верхним отражателями.20. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель содержит одиночный слой и нижний отражатель содержит множество слоев, в результате чего отражатели обеспечивают обратную связь в вертикальном направлении.2 Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель содержит множество слоев и нижний отражатель содержит одиночный слой, в результате чего отражатели обеспечивают обратную связь в вертикальном направлении.22. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель и нижний отражатель, каждый из них, содержат одиночный слой, тем самым обеспечивая обратную связь в вертикальном направлении.23. Полупроводниковый лазер по п. 22, в котором наклонная оптическая мода наклонена под углом относительно нормали к слоям большим, чем угол полного внутреннего отражения и на границе между резонатором и верхним отражателем, и на границе между резонатором и нижним отражателем.24. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором резонатор также содержит, по меньшей мере, одно зеркало на каждой стороне резонатора, обеспечивающее обратную связь в поперечном направлении.25. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором верхний отражатель частично протравлен для обеспечения распределенной обратной связи в поперечном направлении.26. Полупроводниковый лазер по п. 1, который дополнительно содержит дифракционную решетку, выполненную над верхним отражателем, и тем, что дифракционная решетка обеспечивает распределенную обратную связь в поперечном направлении.27. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержита) поглощающий элемент, расположенный сверху верхнего отражателя, в котором поглощающий элемент содержит поглощающую область, которая поглощает световое излучение, пропускаемое через верхний отражатель.28. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержита) поглощающий элемент, расположенный между подложкой и нижним отражателем, причем поглощающий элемент содержит поглощающую область, которая поглощает световое излучение, пропускаемое через нижний отражатель.29. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержит:а) элемент управления фазой, содержащий:i) область модулирования, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; причем область модулирования использует электрооптический эффект для модулирования длины волны светового излучения;ii) вторую имеющую донорную примесь область растекания тока над областью модулирования;iii) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью элемента управления фазой; иiv) устройство управления смещением элемента управления фазой между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего электрическое поле может быть создано для области модулирования для модулирования длины волны светового излучения.30. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования модулирует длину волны светового излучения, когда на нее воздействует электрическое поле при приложении обратного смещения.3 Полупроводниковый лазер по п. 30, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую генерируемому световому излучению выходить из структуры.32. Полупроводниковый лазер по п. 31, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.33. Полупроводниковый лазер по п. 31, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.34. Полупроводниковый лазер по п. 30, который также содержит поглощающий элемент, имеющий поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, чтобы обеспечивать выход светового излучения в поперечном направлении.35. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования модулирует длину волны светового излучения при воздействии на нее инжекционным током при приложении прямого смещения.36. Полупроводниковый лазер по п. 35, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.37. Полупроводниковый лазер по п. 36, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.38. Полупроводниковый лазер по п. 36, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.39. Полупроводниковый лазер по п. 36, который также содержит поглощающий элемент, содержащий поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения выхода светового излучения в поперечном направлении.40. Полупроводниковый лазер по п. 29, который также содержит:е) элемент модулирования мощности, включающий в себя:i) первую поглощающую область, расположенную над второй имеющей донорную примесь областью растекания тока; причем первая поглощающая область использует электрооптический эффект для модулирования поглощаемой мощности;ii) вторую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над первой поглощающей областью;iii) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью элемента модулирования мощности; иiv) устройство управления смещением элемента модулирования мощности, расположенное между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и второй имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего может быть создано электрическое поле, которое обусловливает смещение спектрального положения пика поглощения первой области поглощения, тем самым модулируя поглощение на данной длине волны излучаемого света.4 Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором первая поглощающая область подвергается воздействию электрического поля при приложении обратного смещения.42. Полупроводниковый лазер по п. 41, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.43. Полупроводниковый лазер по п. 41, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения выхода светового излучения в поперечном направлении.44. Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором первая поглощающая область подвергается воздействию инжекционного тока при приложении прямого смещения.45. Полупроводниковый лазер по п. 44, который также содержит оптическую апертуру, которая позволяет вывод генерируемого светового излучения из структуры.46. Полупроводниковый лазер по п. 44, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.47. Полупроводниковый лазер по п. 3, который также содержит:d) элемент модулирования мощности, включающий в себя:i) первую поглощающую область, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; при этом указанная поглощающая область использует электрооптический эффект для модулирования поглощаемой мощности;ii) вторую имеющую донорную примесь область растекания тока над поглощающей областью;iii) апертуры тока, расположенные между каждой соседней областью; иiv) устройство управления смещением элемента модулирования мощности, расположенное между второй имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего может создаваться электрическое поле, которое обусловливает смещение поглощающей областью спектрального положения пика поглощения, таким образом модулируя поглощение на данной длине волны светового излучения.48. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором первая поглощающая область модулирует поглощаемую мощность при воздействии на нее электрическим полем при приложении обратного смещения.49. Полупроводниковый лазер по п. 48, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.50. Полупроводниковый лазер по п. 49, в котором оптическая апертура выполнена путем частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.5 Полупроводниковый лазер по п. 50, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.52. Полупроводниковый лазер по п. 48, который также содержит поглощающий элемент, содержащий вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.53. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором поглощающая область подвергается воздействию инжекционного тока при приложении прямого смещения.54. Полупроводниковый лазер по п. 53, который также содержит оптическую апертуру, позволяющую вывод генерируемого светового излучения из структуры.55. Полупроводниковый лазер по п. 54, в котором оптическая апертура выполнена за счет частичного выборочного удаления нескольких слоев верхнего отражателя.56. Полупроводниковый лазер по п. 54, в котором оптическая апертура выполнена с помощью дополнительного слоя, расположенного сверху верхнего отражателя.57. Полупроводниковый лазер по п. 53, который также содержит поглощающий элемент, включающий в себя вторую поглощающую область, расположенную сверху верхнего отражателя, для обеспечения вывода светового излучения в поперечном направлении.58. Полупроводниковый лазер по п. 1, в котором один отражатель является многослойным отражателем, и другой отражатель является однослойным отражателем.59. Полупроводниковый лазер по п. 58, в котором нижний отражатель является однослойным отражателем, и верхний отражатель является многослойным отражателем.60. Полупроводниковый лазер по п. 59, в котором наклонная оптическая мода наклонена относительно нормали к слоям под углом, большим, чем угол полного внутреннего отражения на границе между резонатором и нижним отражателем.6 Полупроводниковый лазер по п. 58, в котором нижний отражатель является многослойным отражателем, и верхний отражатель является однослойным отражателем.62. Полупроводниковый лазер по п. 61, в котором наклонная оптическая мода наклонена относительно нормали к слоям под углом, большим, чем угол полного внутреннего отражения на границе между резонатором и верхним отражателем.63. Полупроводниковый лазер по п. 3, в котором активная область расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.64. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором область модулирования расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.65. Полупроводниковый лазер по п. 29, в котором и активная область, и область модулирования расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.66. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором поглощающая область расположена в локальном максимуме интенсивности резонансной наклонной оптической моды.67. Полупроводниковый лазер по п. 47, в котором и активная область, и поглощающая область расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.68. Полупроводниковый лазер по п. 40, в котором активная область, область модулирования и поглощающая область расположены в локальных максимумах интенсивности резонансной наклонной оптической моды.69. Полупроводниковый лазер по п. 3, в котором резонатор также содержит:vii) область модулирования, расположенную над первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока; иviii) апертуру тока, расположенную между первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока и областью модулирования.70. Полупроводниковый лазер по п. 69, в котором область модулирования содержит слой модулирования, характеризуемый пиком поглощения в спектральной области вблизи спектральной линии генерируемого светового излучения.7 Полупроводниковый лазер по п. 70, в котором слой модулирования выполнен с возможностью того, что резонансное уменьшение его показателя преломления с увеличением температуры компенсирует среднее не-резонансное увеличение действительного показателя преломления резонатора, тем самым обеспечивая дополнительную стабилизацию ширины линии излучаемого света по отношению к изменениям температуры.72. Полупроводниковый лазер по п. 71, в котором слой модулирования расположен в локальном максимуме резонансной наклонной оптической моды.73. Полупроводниковый лазер по п. 71, в котором активная область, и слой модулирования расположены в локальных максимумах резонансной наклонной оптической моды.74. Фотоприемник, содержащий:а) нижний отражатель;б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий область поглощения светового излучения, расположенную в резонаторе; причем резонатор выполнен таким образом, что направление распространения светового излучения в резонансной оптической моде наклонено и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.75. Фотоприемник по п. 74, который также содержит подложку под нижним отражателем.76. Фотоприемник по п. 75, отличающийся тем, чтоа) область поглощения светового излучения генерирует связанные электронно-дырочные пары при поглощении светового излучения; иb) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под областью поглощения светового излучения;ii) вторую ограничивающую область над областью поглощения светового излучения;iii) первую имеющую донорную примесь область растекания тока над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область растекания тока над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем;v) апертуру тока, расположенную между каждой соседней областью;vi) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего электроны и дырки, создаваемые поглощением светового излучения в слое поглощения светового излучения, генерируют фототок во внешнем контуре.77. Фотоприемник по п. 76, в котором фотоприемник обнаруживает световое излучение, поступающее от вертикального направления.78. Фотоприемник по п. 76, в котором фотоприемник обнаруживает световое излучение, поступающее от поперечного направления.79. Усилитель, содержащий:а) нижний отражатель;б) верхний отражатель; ив) резонатор, расположенный между нижним отражателем и верхним отражателем, содержащий активную область, расположенную в резонаторе; при этом резонатор выполнен таким образом, что направление распространения светового излучения в резонансной оптической моде резонатора наклонено и относительно перпендикуляра к поперечной плоскости, и относительно самой поперечной плоскости.80. Усилитель по п. 79, который также содержит подложку под нижним отражателем.8 Усилитель по п. 80, в которома) активная область усиливает световое излучение под воздействием на нее инжекционного тока при приложении прямого смещения; иb) резонатор также содержит:i) первую ограничивающую область под активной областью;ii) вторую ограничивающую область над активной областью;iii) первую имеющую донорную примесь область над подложкой и под первой ограничивающей областью;iv) первую имеющую акцепторную примесь область над второй ограничивающей областью и под верхним отражателем; иv) устройство управления смещением между первой имеющей донорную примесь областью растекания тока и первой имеющей акцепторную примесь областью растекания тока, в результате чего ток можно инжектировать в слой генерирования светового излучения, для усиления светового излучения.82. Усилитель по п. 80, в котором подложка содержит донорную примесь, нижний отражатель содержит донорную примесь и верхний отражатель содержит акцепторную примесь.83. Усилитель по п. 82, который также содержит:г) контакт n-типа, расположенный под подложкой; ид) контакт р-типа, расположенный над верхним отражателем.84. Усилитель по п. 83, отличающийся тем, что контакт р-типа поворачивается в поперечной плоскости по отношению к поперечному направлению распространения наклонной оптической моды, в результате чего усилитель не функционирует как лазер.85. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором только часть лазерной структуры сформирована из наклонного резонатора.86. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одна боковая поверхность наклонного резонатора обеспечена покрытием, выбранным из группы, состоящей из однослойного покрытия и многослойного покрытия;при этом покрытие регулирует вывод светового излучения в поперечном направлении.87. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля вблизи боковой поверхности резонатора, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.88. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля вблизи верхней поверхности верхнего отражателя, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.89. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором, по меньшей мере, одно оптическое волокно присоединено в ближней зоне электромагнитного поля сверху верхней поверхности верхнего отражателя, тем самым обеспечивая связь резонансной оптической моды резонатора с оптическим волокном.90. Оптическое волокно, содержащее:а) сердцевину; иб) многослойное покрытие, выполненное с возможностью того, чтобы световое излучение смогло распространяться только в определенном интервале длин волн, тем самым обеспечивая систему со стабилизированной длиной волны.
公开日期	2005-04-10
申请日期	2003-02-11
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67489]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ
推荐引用方式 GB/T 7714	ЛЕДЕНЦОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ,ЩУКИН ВИТАЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НАКЛОННЫМ РЕЗОНАТОРОМ (ППЛНР), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ. RU2004127235A. 2005-04-10.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。