一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 | |
张作望; 吴少凡 | |
2013-05-15 | |
著作权人 | 福建福晶科技股份有限公司 |
专利号 | CN103103610A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 |
英文摘要 | 本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法,原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF3,其化学式为:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd与Y是性质相近的稀土元素,Gd离子半径比Y离子半径大4%,刚好介于Nd3+与Y3+之间,大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格,减小了晶体的内部张力,同时减小Y3+附近刃型位错应变能,从而可以抑制位错的迁移和重排,从而降低位错的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性,获得高光学质量,物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体,其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%,该激光晶体采用提拉法进行生长,工艺简单,能够实现大规模低成本的批量生产。 |
公开日期 | 2013-05-15 |
申请日期 | 2012-12-24 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67039] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 福建福晶科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张作望,吴少凡. 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法. CN103103610A. 2013-05-15. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论