| 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法 | |
| 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 袁丽君; 王宝军; 潘教青; 王圩 | |
| 2012-08-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN102638000A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法 |
| 英文摘要 | 一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬底上生长III-V族半导体激光器结构；在N、P面制作金属电极；在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；将SOI波导结构和键合激光器结构键合到一起。本发明中通过采用普通光刻和反应离子刻蚀(RIE)方法在硅波导上制作一定尺寸的沟槽来实现单模激射，具有低成本、工艺简单、宽温度工作范围、高可靠性等优点。 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 申请日期 | 2012-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67014]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于红艳,周旭亮,邵永波,等. 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法. CN102638000A. 2012-08-15. |
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