一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 | |
马淑芳; 许并社; 李学敏; 韩蕊蕊; 田海军; 吴小强 | |
2014-05-07 | |
著作权人 | 太原理工大学 |
专利号 | CN103779786A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 |
英文摘要 | 本发明涉及一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构,本发明公开了一种具有特殊结构的半导体激光器的制备方法。该结构从下到上依次包括:GaAs衬底;GaAs缓冲层;AIGaAs下限制层;AIGaAs下波导层;有源层;AIGaAs上波导层;AIGaAs上限制层;GaAs覆盖层。在该结构中,有源层的量子阱和垒之间插入了一层薄的GaAs或InP或In组分含量较低(与量子阱中In组分相比较低)的InGaAs层,这可以有效缓解量子阱和垒之间的品格适配,提高界面质量,减小应力,获得较低的阈值电流密度,提升了半导体激光器件的光电性能。 |
公开日期 | 2014-05-07 |
申请日期 | 2013-12-12 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66795] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 太原理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马淑芳,许并社,李学敏,等. 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构. CN103779786A. 2014-05-07. |
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