| 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 | |
| 马淑芳; 许并社; 李学敏; 韩蕊蕊; 田海军; 吴小强 | |
| 2014-05-07 | |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 专利号 | CN103779786A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构，本发明公开了一种具有特殊结构的半导体激光器的制备方法。该结构从下到上依次包括：GaAs衬底；GaAs缓冲层；AIGaAs下限制层；AIGaAs下波导层；有源层；AIGaAs上波导层；AIGaAs上限制层；GaAs覆盖层。在该结构中，有源层的量子阱和垒之间插入了一层薄的GaAs或InP或In组分含量较低(与量子阱中In组分相比较低)的InGaAs层，这可以有效缓解量子阱和垒之间的品格适配，提高界面质量，减小应力，获得较低的阈值电流密度，提升了半导体激光器件的光电性能。 |
| 公开日期 | 2014-05-07 |
| 申请日期 | 2013-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马淑芳,许并社,李学敏,等. 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构. CN103779786A. 2014-05-07. |
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