一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构 | |
乔忠良; 李占国; 薄报学; 高欣; 张晶; 李特; 李林; 李辉; 王勇; 曲轶 | |
2015-02-04 | |
著作权人 | 长春理工大学 |
专利号 | CN104332826A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构 |
英文摘要 | 一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构,其特征在于,包括:一衬底,在该层结构上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层生长在衬底上,为N型砷化镓材料;一N型下限制层,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下N型下波导层,该N型下波导层生长在下限制层上;一多量子阱层,该多量子阱层生长在下波导层上;一P型上波导层,该P型上波导层生长在多量子阱层上;一P型上限制层,该P型上限制层生长在P型上波导层上;一P型高掺杂层,该P型高掺杂层生长在P型上限制层上,形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。 |
公开日期 | 2015-02-04 |
申请日期 | 2014-11-20 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66788] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔忠良,李占国,薄报学,等. 一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构. CN104332826A. 2015-02-04. |
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