| 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 | |
| 刘媛媛; 杨富华 | |
| 2013-06-19 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN103166105A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法，其中用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙；一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。本发明具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，同时由于硅表面易于做到很高的光洁度，与半导体器件更加容易形成良好的接触，从而散热效果更好。 |
| 公开日期 | 2013-06-19 |
| 申请日期 | 2013-03-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66714]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘媛媛,杨富华. 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法. CN103166105A. 2013-06-19. |
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