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	激光退火装置和激光薄膜形成装置
	石川弘美; 原田明宪; 藤井武; 冈崎洋二; 永野和彦; 山川博充; 山中英生
	2004-01-14
著作权人	亚得科技工程有限公司
专利号	CN1467802A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	激光退火装置和激光薄膜形成装置
英文摘要	一种激光退火装置，备有由至少一个氮化镓(GaN)系半导体激光器产生的多个波长350～450nm的激光束的发光点构成的激光光源和由该光源发出的激光束在退火面上扫描的扫描器，从而可采用可连续驱动、输出稳定性优异的半导体激光，以良好重复性且高速地形成具有良好结晶特性的高迁移率的多晶硅膜。而激光退火装置还可备有根据各控制信号而改变配置在基板上的多数象素部分的光调制状态、调制发自激光光源的激光束之空间光调制元件。还有，作为应用例可举激光薄膜形成装置，其备有用至少一种半导体激光器产生的多个发光点构成的激光光源、把该光源发出的激光束以线状集束于上述基板的幅度方向的光学系统，从而把激光束入射到反应容器内并把其中的原料气体光解而沉积在基板上形成薄膜。
公开日期	2004-01-14
申请日期	2003-06-09
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66680]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	亚得科技工程有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	石川弘美,原田明宪,藤井武,等. 激光退火装置和激光薄膜形成装置. CN1467802A. 2004-01-14.

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