| 高功率激光二极管阵列结构 | |
| 高云峰; 肖岗; 蒲罡; 陈建飞; 杨延青 | |
| 2008-03-26 | |
| 著作权人 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 专利号 | CN101150244A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高功率激光二极管阵列结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种单芯节高功率激光二极管阵列结构，包括盖板、至少一个单芯管、腔体及绝缘层，腔体底面设有至少一安装孔，单芯管包括定位防转部分和柱形安装部分，柱形安装部分底面安装单芯节，单芯管对应安装在腔体的安装孔内，其定位防转部分置于腔体内，柱形安装部分对应置于安装孔内，盖板盖于腔体上，绝缘层对应腔体的安装孔也开设孔，并对应安装在腔体的底面。本发明能替代LDA的单芯节高功率激光二极管阵列结构，能够满足激光加工设备所需的大功率、高可靠性、长寿命的发展趋势，同时具有制造工艺简单、高可靠性、长寿命的优点。 |
| 公开日期 | 2008-03-26 |
| 申请日期 | 2006-09-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高云峰,肖岗,蒲罡,等. 高功率激光二极管阵列结构. CN101150244A. 2008-03-26. |
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