| 半导体器件以及半导体器件的制造方法 | |
| 宫坂文人 | |
| 2015-12-23 | |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 专利号 | CN105186284A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件以及半导体器件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。提供一种抑制由于对光发射端面的灾变性光学损伤(COD)而造成的端面破坏并具有高输出特性的半导体激光器。在具有从(0001)面在方向上的偏离角的主面的n型衬底上提供n型披覆层、电流阻挡层、有源层以及p型披覆层。例如，电流阻挡层布置在电流狭窄区的两侧。随后，电流阻挡层布置为从解理面(线)缩回。在这种情况下，在具有结晶生长在n型披覆层和电流阻挡层上的量子阱结构的有源层中，窗口区从解理面(线)直至电流阻挡层的端部的层厚度小于电流狭窄区(电流阻挡层之间的区域)的层厚度。因此，窗口区中的有源层的带隙变大，且因此能抑制由于COD造成的端面破坏。 |
| 公开日期 | 2015-12-23 |
| 申请日期 | 2015-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66617]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫坂文人. 半导体器件以及半导体器件的制造方法. CN105186284A. 2015-12-23. |
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