QQ客服 官方微博 反馈留言

	陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法
	舒世立; 佟存柱; 单肖楠; 汪丽杰; 宁永强; 王立军
	2015-04-08
著作权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利号	CN104493169A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法
英文摘要	本发明公开了一种陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉引入陶瓷颗粒后，热膨胀系数降低的同时导热性能也显著下降的问题。该热沉由金属热沉和嵌入金属热沉内的局部增强区组成，其中，局部增强区由10-60vol.％的金属和40-90vol.％陶瓷颗粒组成，金属为Cu或Al，陶瓷颗粒为TiB2、TiC或者TiB2-TiC。该热沉局部增强区的热膨胀系数可通过控制陶瓷颗粒含量进行调节，使其与半导体激光器芯片的热膨胀系数匹配，降低芯片与热沉之间的内应力，提高半导体激光器的使用寿命；且不影响热沉的整体导热系数，制备工艺简便、成本低，易于推广应用。
公开日期	2015-04-08
申请日期	2014-12-26
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66577]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	舒世立,佟存柱,单肖楠,等. 陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法. CN104493169A. 2015-04-08.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。