| NPN异质结双极型晶体管激光器 | |
| 梁松; 朱洪亮; 王圩 | |
| 2010-06-23 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN101752789A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | NPN异质结双极型晶体管激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。 |
| 公开日期 | 2010-06-23 |
| 申请日期 | 2008-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁松,朱洪亮,王圩. NPN异质结双极型晶体管激光器. CN101752789A. 2010-06-23. |
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