| 频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器 | |
| 何建军; 胡志朋 | |
| 2016-01-27 | |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 专利号 | CN105281199A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器。第一有源谐振腔与第二有源谐振腔在一端以V形相耦合形成多模耦合区，多模耦合区的端面具有腔面反射面，第一有源谐振腔的另一端和第一无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的一臂；第二有源谐振腔的另一端和第二无源滤波器之间通过深刻蚀槽串联构成激光器的另一臂；第一有源谐振腔和第二有源谐振腔上设有浅刻蚀槽。本发明的激光器具有结构紧凑，制作工艺简单，成本较低，无需外部参考光源等优点。 |
| 公开日期 | 2016-01-27 |
| 申请日期 | 2015-10-28 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66450]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何建军,胡志朋. 频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器. CN105281199A. 2016-01-27. |
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