| 通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法 | |
| 吉田博; 中山博幸 | |
| 2005-08-17 | |
| 著作权人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 专利号 | CN1656031A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法 |
| 英文摘要 | 于常温、常压下，实现任一种的激发状态，采用此状态，若能使稳定构造由石墨构造逆转成钻石构造时，则采用激发状态，可简单的使石墨进行钻石化。此若予实现时，则可被期待应用于纳米技术或短波长高输出功半导体激光器，高输出功电子设备方面。在常压状态由照射放射线X射线、放射线、激光器光、电子射束或加速多价离子的任一种至使能激发构成由sp2构造而成的石墨的单晶或多晶的碳原子(C)的1s内层电子，由sp2构造的石墨制作出sp3构造的钻石为特征的钻石的制造方法。使价廉且大量的制造石墨单晶、多晶或纳米构造钻石成为可能的。 |
| 公开日期 | 2005-08-17 |
| 申请日期 | 2003-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66412]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田博,中山博幸. 通过内层电子激发由石墨制造钻石的方法. CN1656031A. 2005-08-17. |
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