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	具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器
	郝永芹; 谢检来; 王勇; 冯源; 晏长岭; 邹永刚; 刘国军; 王霞; 王志伟
	2017-05-10
著作权人	长春理工大学
专利号	CN106654858A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器
英文摘要	具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上依次生长低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的中间部分制作成双层亚波长光栅；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层、高折射率亚波长光栅层和低折射率光栅层的周边部分去除，并在高折射率导电基底周边部分上表面制作p面电极。所述垂直腔面发射半导体激光器同时具有阈值电流低、工作稳定性强等特点，能够直接输出偏振光，用作光通信光源。
公开日期	2017-05-10
申请日期	2017-03-08
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66402]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝永芹,谢检来,王勇,等. 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器. CN106654858A. 2017-05-10.

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